Composants actifs de l'électronique

Composants actifs de l'électroniqueCode de l'UE : HLEE502

Présentation

Cette UE porte sur l’étude des composants discrets et de circuits élémentaires à base de composants discrets.

Etude des transistors de type bipolaire et MOSFET en régime statique , basé sur des modèles simples. Les modes de fonctionnement saturé, bloqué et actif feront l’objet d’une attention toute particulière afin que les différentes utilisations possibles de ces transistors soit clairement définis : modèles statiques du composant (Schockley; Ebers-Moll; MOS Level 1, …) et modèle approché permettant une approche analytique du problème en régime actif.

Dans une seconde partie l’ analyse du comportement en dynamique des transistors est développée afin de définir les modèles en adéquation avec l’analyse envisagée. Analyse petits signaux basse fréquence (paramètres dynamiques et schéma équivalent), limite du modèle basse fréquence et modèle de Giacoletto pour l’ analyse comportemental en fréquence.

La troisième partie porte sur l’analyse de circuits simples afin de mettre en évidence le choix d’un modèle adapté à l’étude souhaitée. Etude de circuits simples en composants discrets en régime de faibles signaux. Cette partie du programme traite des principales fonctions linéaires : modulation démodulation, filtrage et non linéaires construites autour d’amplificateurs opérationnels. Il ne s’agit pas de faire un catalogue de fonctions, mais de donner aux étudiants la capacité d’analyse des circuits qu’ils peuvent rencontrer et la capacité de synthèse de fonctions dont ils peuvent avoir besoin.

Objectifs

Acquérir une méthodologie d'analyse des circuits non linéaires et développer les compétences nécessaires pour aborder des circuits plus avancés du domaine de l'électronique analogique

Circuits électriques linéaires : Généralités, Impédances, Quadripôles Mise en équation d'un circuit électrique linéaire en utilisant les théorèmes généraux de l'électrocinétiqueMéthodes systématiques pour l'analyse des circuits : analyse nodale modifiée (MNA).

Transistors

MOSFET en régime statique, basé sur des modèles simples.

Les modes de fonctionnement saturé, bloqué et actif

Modèle statique du composant (Schockley; Ebers-Moll; MOS Level 1, …) 

Analyse du comportement en dynamique des transistors, Analyse petit signaux basse fréquence (paramètres dynamiques et schéma équivalent), limite du modèle basse fréquence et modèle de Giacoletto pour l’analyse comportemental en fréquence. Modèle des transistors pour de forts signaux.

Circuits simples en composants discrets en régime de faibles signaux basse fréquence (émetteur commun, source commune, collecteur commun, drain commun,  paire différentielle et miroir de courant), de forts signaux et de commutation.

Amplificateurs linéaires intégrés :

Caractéristiques et utilisation

Application d'amplificateurs opérationnels en régime linéaire : filtrage actif.

Performances et limitations des amplificateurs opérationnels 

Volume horaire

  • CM : 21
  • TD : 15
  • TP : 39
Diplômes intégrant cette UE

En bref

Crédits ECTS 7.5

Nombre d'heures 75 HE

Période de l'année
S5

Langue d'enseignement
fr

Contact(s)

Composante

Contact(s) administratif(s)

Frederic MARTINEZ (frederic.martinez @ umontpellier.fr)

Alain HOFFMANN (alain.hoffmann @ umontpellier.fr)