Nanocaractérisation/Technologie du semiconducteur/MEMS

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Nanocaractérisation/Technologie du semiconducteur/MEMSCode de l'UE : HMEE342

Présentation

Technologie du semiconducteur – MEMS : du silicium au semiconducteur, techniques classiques : résines, masquage, résolution, gravures sèches et humides, dépôt et croissance.
Méthodes alternatives : autoassemblage, nanoimprint, …
Nanocaractérisation
Cours
I- Microscopie à effet tunnel électronique (STM) : Rappels théoriques, le courant tunnel, instrumentation, interprétation des images
II- Microscopie à force atomique (AFM) : Principe, Les forces mises en jeu, le capteur du microscope à force atomique, instrumentation, les modes d’imagerie, mode contact et sous-modes, modes résonants et sous mode tapping, peak force tapping.
III- Microscopie électronique à balayage (MEB): Principe de fonctionnement d'un MEB, l'électron dans un champ électrique et magnétique, principe du balayage, résolution, effet thermique et effet de charge au niveau de l'échantillon, application à la lithographie électronique.
IV- Applications
Travaux Pratiques
I- Microscopie à effet tunnel électronique
II- Microscopie à force atomique : Mode contact
III- Microscopie à force atomique : Mode tapping
IV- Microscopie Électronique à Balayage

Objectifs

Apporter les principes ainsi que la pratique de base des technologies du semiconducteur.
Apporter les principes et la pratique de base de la microscopie à effet tunnel électronique (STM), de la microscopie à force atomique (AFM) et de la microscopie électronique à balayage (MEB).

A partir des connaissances apportées sur la technologie des semiconducteurs, être capable de choisir la nature et la séquence des techniques et procédés de fabrication pour réaliser des micro ou nanostructures simples.
Comprendre le principe et le fonctionnement des méthodes STM, AFM et MEB pour être capable de choisir la méthode adaptée pour caractériser une propriété donnée d'une surface donnée. Savoir mettre en œuvre les microscopes STM, AFM, MEB et analyser les images obtenues.

Volume horaire

  • CM : 30
  • TD : 0
  • TP : 21
Diplômes intégrant cette UE

En bref

Crédits ECTS 5

Période de l'année
S3