Physique des Composants 2

Physique des Composants 2Code de l'UE : HMEE106

Présentation

1. Transport de charge
1.1 Dérive des porteurs
** Densité de courant de dérive
** Mobilité
** Conductivité
** Vitesse de saturation
1.2 Diffusion des porteurs
** Densité de courant de diffusion
** Densité de courant total
1.3 Distribution graduelle d’impuretés
** Champ électrique induit
** Relation d’Einstein
1.4 Effet Hall
1.5 Génération-Recombinaison
1.6 Porteurs en excès
** Equation de continuité
** Equation de diffusion
** Conduction dans les isolants

2. Les jonctions
2.1 La jonction pn
** Structure de la jonction
** Polarisation inverse
2.2 La jonction métal-semiconducteur
** Barrière métal-semiconducteur
** Barrière tunnel
** Résistance de contact
2.3 Hétérojonctions
** Matériaux pour hétérojonctions
** Diagramme des bandes d’énergie
** Gaz d’électrons bidimensionnel

3. Dispositifs électroniques
3.1 Diodes pn et Schottky
** Description du courant dans les diodes
** Caractéristique courant-tension
** Conditions aux limites
** Comparaison entre diode pn et diode Schottky
3.2 Le transistor à effet de champ
** Diagramme des bande d’énergie
** Déplétion, tension de bande plate, tension de seuil
** Caractéristique capacité-tension
** Principe de fonctionnement du MOS
** Caractéristiques courant-tension

Objectifs

Fournir les bases de la physique des semiconducteurs et comprendre le fonctionnement physique des principaux composants électroniques.

Pré-requis recommandés

Bases de physique classique (mécanique, électricité, électromagnétisme)

Volume horaire

  • CM : 25.5
  • TD : 0
  • TP : 0

Syllabus

* A. Deville, D. Deville, ”Physique pour l’Electronique” (Ellipses)
* H. Mathieu, ”Physique des semiconducteurs et des composantsélectroniques” (Dunod)
* D. Neamen, ”Semiconductor Physics and Devices” (Mac Graw Hill)

Diplômes intégrant cette UE

En bref

Crédits ECTS 2.5

Période de l'année
premierSemestre

Langue d'enseignement
fr

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Luca VARANI (luca.varani @ umontpellier.fr)