ECTS
4 crédits
Composante
Faculté des Sciences
Description
Le cours présente de façon progressive les principaux phénomènes physiques permettant de comprendre le fonctionnement des composants électroniques et leur utilisation dans des circuits électroniques. La première partie introduit la physique des matériaux semiconducteurs pour ensuite traiter, dans la deuxième partie, les caractéristiques de matériaux à l’équilibre. La troisième partie expose les principaux phénomènes de transport électroniques. Enfin, la quatrième et cinquième partie présentent les composants électroniques le plus importants : les diodes et les transistors.
Objectifs
L’objectif du cours est de fournir aux étudiants les bases pour la compréhension des principales caractéristiques et limitations des composants électroniques.
En combinant différents concepts tirés de la physique des solides, de la physique quantique et de la physique des semiconducteurs, les étudiants pourrons acquérir les connaissances essentielles pour comprendre le fonctionnement de composants électroniques actuels et futurs.
Pré-requis nécessaires
Bases de physique classique
Pré-requis recommandés* :
Bases de physique quantique
Contrôle des connaissances
examen terminal + session 2
Syllabus
- Matériaux semiconducteurs
- Structures cristallines des solides
- Types de semiconducteurs
- Réseaux cristallins
- Liaison atomique
- Imperfections et impuretés
- Bandes d’énergie
- Formation des bandes d’énergie
- Modèle de Kronig-Penney
- Relation énergie-vecteur d’onde
- Conduction électrique
- Bandes d’énergie et courant
- Courant de dérive
- Masse effective
- Concept de trou
- Métaux, isolants et semiconducteurs
- Densité d’états
- Dérivation mathématique
- Extension au cas des semiconducteurs
- Éléments de mécanique statistique
- Lois statistiques
- Fonction de Fermi-Dirac
- Énergie de Fermi
- Semiconducteur à l’équilibre
- Porteurs de charge
- Distributions à l’équilibre des électrons et des trous
- Concentration intrinsèque
- Position du niveau de Fermi intrinsèque
- Dopants et niveaux d'énergie
- Semiconducteur extrinsèque
- Distribution à l’équilibre des électrons et des trous
- Semiconducteurs dégénérés et non-dégénérés
- Statistique des donneurs et des accepteurs
- Neutralité de charge
- Niveau de Fermi extrinsèque
- Transport électronique
- Dérive des porteurs
- Densité de courant de dérive
- Mobilité
- Conductivité
- Vitesse de saturation
- Diffusion des porteurs
- Densité de courant de diffusion
- Densité de courant total
- Distribution graduelle d’impuretés
- Champ électrique induit
- Relation d’Einstein
- Effet Hall
- Génération-Recombinaison
- Porteurs en excès
- Équation de continuité
- Équation de diffusion
- Diodes
- Diode pn
- Structure de la jonction pn
- Jonction pn à l'équilibre
- Jonction pn en polarisation inverse et directe
- Caractéristique courant-tension
- Diode Schottky
- Barrière métal-semiconducteur
- Caractéristique courant-tension
- Contact métal-semiconducteur ohmique
- Hétérojonctions
- Matériaux pour hétérojonctions
- Diagramme des bandes d’énergie
- Gaz d’électrons bidimensionnel
- Transistors
- Transistor à effet de champ
- Principe de fonctionnement
- Caractéristique capacité-tension
- Caractéristique courant-tension
- Transistor bipolaire
- Principe de fonctionnement
- Modes d'opération
- Caractéristique courant-tension
Informations complémentaires
CM : 33h